北京市海淀区知春路2号致真大厦B座12层 100191
公司功率半导体器件产品主要包括500V~900V超结功率MOSFET、600V~700V Multi EPI超结功率MOSFET、20V~150V沟槽式功率MOSFET（N沟道和P沟道）、60V~100V双沟槽功率MOSFET、40V~1000V PLANAR VDMOS以及IGBT、IGTO、高压半桥Driver IC等。产品广泛应用于逆变器、交直流驱动、开关电源、充电器、LED照明、硬开关和高频电路等市场。
